電阻法大尺寸SiC晶體生長設(shè)備
UK-T6
UK-T8
6吋電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備UK-T6
1、完美解決了感應(yīng)爐徑向溫度梯度大的技術(shù)難點,可實現(xiàn)徑向溫度梯度小和軸向溫度梯度可控,晶體內(nèi)部缺陷少, 良率高、重復(fù)性好;2、與傳統(tǒng)工藝長達7-14天的晶體生長周期相比,UKING ERH SiC RV4.0設(shè)備晶體生長速度更快,整個過程可控制在7天之內(nèi);3、 自動化程度高,操控簡單,有利于批量生產(chǎn),提高晶體生長效率和穩(wěn)定性。
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8吋電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備UK-T8
1、完美解決了感應(yīng)爐徑向溫度梯度大的技術(shù)難點,可實現(xiàn)徑向溫度梯度小和軸向溫度梯度可控,晶體內(nèi)部缺陷少, 良率高、重復(fù)性好;2、與傳統(tǒng)工藝長達7-14天的晶體生長周期相比,UKING ERH SiC RV1.0設(shè)備晶體生長速度更快,整個過程可控制在7天之內(nèi);3、 自動化程度高,操控簡單,有利于批量生產(chǎn),提高晶體生長效率和穩(wěn)定性。
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溫度梯度控制優(yōu)勢
優(yōu)晶科技憑借多年的工藝技術(shù)經(jīng)驗,精準(zhǔn)控制熱場溫度,確保晶體在生長過程中獲得最佳溫度梯度,提高了晶體的生長效率,還顯著降低了生產(chǎn)成本。 -
籽晶粘接優(yōu)勢
公司獨特的籽晶處理技術(shù),減少了籽晶裝配過程中人為因素對粘接的影響,提高粘接的成功率,解決了晶體生長過程中籽晶燒穿等問題。 -
綜合成本優(yōu)勢
公司研發(fā)的電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備配合晶體生長工藝,在確保品質(zhì)的前提下,原材料利用率高,提升晶體厚度。
優(yōu)晶的解決方案
UKING SOLUTIONS
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發(fā)熱部件
石墨加熱器
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熱場結(jié)構(gòu)
PVT石墨熱場
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溫度梯度
容易調(diào)節(jié)
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晶體生長界面
接近平面
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晶體利用率
高
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晶體應(yīng)力
應(yīng)力較低
易加工
提高下游制程良率 -
6-8寸晶體生長
兼容
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單位晶片成本
低
電阻法大尺寸SiC晶體生長設(shè)備產(chǎn)品
6吋碳化硅晶體
8吋碳化硅晶體
6吋碳化硅晶體
碳化硅作為全球先進的第三代半導(dǎo)體材料,具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場強、高飽和電子漂移速度和高鍵合能等特性,碳化硅功率器件在耐高壓、高頻、高溫以及大功率應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。
8吋碳化硅晶體
碳化硅作為全球先進的第三代半導(dǎo)體材料,具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場強、高飽和電子漂移速度和高鍵合能等特性,碳化硅功率器件在耐高壓、高頻、高溫以及大功率應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。
碳化硅晶體生長過程
碳化硅晶體材料是種由碳和硅元素組成的寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,其生產(chǎn)條件需要在2250°C以上的高溫和接近真空的低壓環(huán)境下,使固態(tài)原料升華,并在高溫和濃度梯度的作用下,持續(xù)將碳、硅原子傳輸至位于石墨坩堝頂端的籽晶附近,進行晶體生長。
1.
碳化硅顆粒
Si+C=SiC
在晶體生長過程中,碳化硅(SiC)原料的粒度和純度都會直接影響晶體質(zhì)量。
2.
籽晶處理
獨特的籽晶粘接技術(shù)
籽晶粘接是晶體生長過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。為了獲得高品質(zhì)的晶體,公司采用獨特籽晶處理工藝,滿足高質(zhì)量晶體生長要求。
3.
Uking電阻法
SiC晶體生長技術(shù)
在晶體生長過程中,通過精準(zhǔn)控制熱場溫度和氣氛來保證晶體生長的可靠性和穩(wěn)定性。
碳化硅晶體檢測報告
采用UKING電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備生長的SiC晶體,其微管密度、位錯密度和電阻率等指標(biāo)均達到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
新能源汽車
優(yōu)晶科技為您提供高端的半導(dǎo)體裝備、生長工藝和技術(shù)服務(wù)的綜合解決方案
充電樁
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光伏發(fā)電
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特高壓
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風(fēng)力發(fā)電
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軌道交通
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