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電阻法大尺寸SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備

UK-T6

UK-T8

6吋電阻法碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備UK-T6

1、完美解決了感應(yīng)爐徑向溫度梯度大的技術(shù)難點(diǎn),可實(shí)現(xiàn)徑向溫度梯度小和軸向溫度梯度可控,晶體內(nèi)部缺陷少, 良率高、重復(fù)性好;

2、與傳統(tǒng)工藝長(zhǎng)達(dá)7-14天的晶體生長(zhǎng)周期相比,UKING ERH SiC RV4.0設(shè)備晶體生長(zhǎng)速度更快,整個(gè)過程可控制在7天之內(nèi);

3、 自動(dòng)化程度高,操控簡(jiǎn)單,有利于批量生產(chǎn),提高晶體生長(zhǎng)效率和穩(wěn)定性。
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6吋電阻法碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備

8吋電阻法碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備UK-T8

1、完美解決了感應(yīng)爐徑向溫度梯度大的技術(shù)難點(diǎn),可實(shí)現(xiàn)徑向溫度梯度小和軸向溫度梯度可控,晶體內(nèi)部缺陷少, 良率高、重復(fù)性好;

2、與傳統(tǒng)工藝長(zhǎng)達(dá)7-14天的晶體生長(zhǎng)周期相比,UKING ERH SiC RV1.0設(shè)備晶體生長(zhǎng)速度更快,整個(gè)過程可控制在7天之內(nèi);

3、 自動(dòng)化程度高,操控簡(jiǎn)單,有利于批量生產(chǎn),提高晶體生長(zhǎng)效率和穩(wěn)定性。
查看參數(shù)>
8吋電阻法碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備
  • 溫度梯度控制優(yōu)勢(shì)

    溫度梯度控制優(yōu)勢(shì)

    優(yōu)晶科技憑借多年的工藝技術(shù)經(jīng)驗(yàn),精準(zhǔn)控制熱場(chǎng)溫度,確保晶體在生長(zhǎng)過程中獲得最佳溫度梯度,提高了晶體的生長(zhǎng)效率,還顯著降低了生產(chǎn)成本。
  • 籽晶粘接優(yōu)勢(shì)

    籽晶粘接優(yōu)勢(shì)

    公司獨(dú)特的籽晶處理技術(shù),減少了籽晶裝配過程中人為因素對(duì)粘接的影響,提高粘接的成功率,解決了晶體生長(zhǎng)過程中籽晶燒穿等問題。
  • 綜合成本優(yōu)勢(shì)

    綜合成本優(yōu)勢(shì)

    公司研發(fā)的電阻法碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備配合晶體生長(zhǎng)工藝,在確保品質(zhì)的前提下,原材料利用率高,提升晶體厚度。
優(yōu)晶的解決方案
UKING SOLUTIONS
參數(shù)
  • 發(fā)熱部件

    石墨加熱器

  • 熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)

    PVT石墨熱場(chǎng)

  • 溫度梯度

    容易調(diào)節(jié)

  • 晶體生長(zhǎng)界面

    接近平面

  • 晶體利用率

  • 晶體應(yīng)力

    應(yīng)力較低
    易加工
    提高下游制程良率

  • 6-8寸晶體生長(zhǎng)

    兼容

  • 單位晶片成本

電阻法大尺寸SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備產(chǎn)品

6吋碳化硅晶體

8吋碳化硅晶體

6吋碳化硅晶體

碳化硅作為全球先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體材料,具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速度和高鍵合能等特性,碳化硅功率器件在耐高壓、高頻、高溫以及大功率應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)。
6吋碳化硅晶體

8吋碳化硅晶體

碳化硅作為全球先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體材料,具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速度和高鍵合能等特性,碳化硅功率器件在耐高壓、高頻、高溫以及大功率應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)。
8吋碳化硅晶體
碳化硅晶體生長(zhǎng)過程
碳化硅晶體材料是種由碳和硅元素組成的寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,其生產(chǎn)條件需要在2250°C以上的高溫和接近真空的低壓環(huán)境下,使固態(tài)原料升華,并在高溫和濃度梯度的作用下,持續(xù)將碳、硅原子傳輸至位于石墨坩堝頂端的籽晶附近,進(jìn)行晶體生長(zhǎng)。
1.
碳化硅顆粒

Si+C=SiC

在晶體生長(zhǎng)過程中,碳化硅(SiC)原料的粒度和純度都會(huì)直接影響晶體質(zhì)量。

2.
籽晶處理

獨(dú)特的籽晶粘接技術(shù)

籽晶粘接是晶體生長(zhǎng)過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。為了獲得高品質(zhì)的晶體,公司采用獨(dú)特籽晶處理工藝,滿足高質(zhì)量晶體生長(zhǎng)要求。

3.
Uking電阻法

SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)

在晶體生長(zhǎng)過程中,通過精準(zhǔn)控制熱場(chǎng)溫度和氣氛來保證晶體生長(zhǎng)的可靠性和穩(wěn)定性。

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碳化硅晶體檢測(cè)報(bào)告

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采用UKING電阻法碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備生長(zhǎng)的SiC晶體,其微管密度、位錯(cuò)密度和電阻率等指標(biāo)均達(dá)到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
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新能源汽車

優(yōu)晶科技為您提供高端的半導(dǎo)體裝備、生長(zhǎng)工藝和技術(shù)服務(wù)的綜合解決方案

充電樁

優(yōu)晶科技為您提供高端的半導(dǎo)體裝備、生長(zhǎng)工藝和技術(shù)服務(wù)的綜合解決方案

光伏發(fā)電

優(yōu)晶科技為您提供高端的半導(dǎo)體裝備、生長(zhǎng)工藝和技術(shù)服務(wù)的綜合解決方案

特高壓

優(yōu)晶科技為您提供高端的半導(dǎo)體裝備、生長(zhǎng)工藝和技術(shù)服務(wù)的綜合解決方案

風(fēng)力發(fā)電

優(yōu)晶科技為您提供高端的半導(dǎo)體裝備、生長(zhǎng)工藝和技術(shù)服務(wù)的綜合解決方案

軌道交通

優(yōu)晶科技為您提供高端的半導(dǎo)體裝備、生長(zhǎng)工藝和技術(shù)服務(wù)的綜合解決方案
新能源汽車
充電樁
光伏發(fā)電
特高壓
風(fēng)力發(fā)電
軌道交通

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